SQ1912AEEH-T1

SQ1912AEEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

NOVA部品番号:

303-2248922-SQ1912AEEH-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQ1912AEEH-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-70-6
基本製品番号	SQ1912
パッケージ・ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.25nC @ 4.5V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	27pF @ 10V
パワー - 最大	1.5W
その他の名前	SQ1912AEEH-T1_GE3CT SQ1912AEEH-T1_GE3TR SQ1912AEEH-T1_GE3DKR SQ1912AEEH-T1_GE3-ND

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