SI5935CDC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

NOVA部品番号:

303-2250898-SI5935CDC-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI5935CDC-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	1206-8 ChipFET™
基本製品番号	SI5935
パッケージ・ケース	8-SMD, Flat Lead
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11nC @ 5V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 P-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	455pF @ 10V
パワー - 最大	3.1W
その他の名前	SI5935CDC-T1-GE3DKR SI5935CDC-T1-GE3CT SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3

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