CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

NOVA部品番号:

303-2247533-CSD85312Q3E

製造元:

製造メーカー部品番号:

CSD85312Q3E

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Texas Instruments
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-VSON (3.3x3.3)
基本製品番号	CSD85312
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
シリーズ	NexFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	39A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
FETの特徴	Logic Level Gate, 5V Drive
FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Common Source
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2390pF @ 10V
パワー - 最大	2.5W
その他の名前	-CSD85312Q3E-NDR TEXTISCSD85312Q3E 296-37187-6 2156-CSD85312Q3E 296-37187-1 296-37187-2 -296-37187-1 -296-37187-1-ND CSD85312Q3E-ND

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！