EPC2106ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
NOVA部品番号:
303-2252782-EPC2106ENGRT
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2106ENGRT
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
| パッケージ・ケース | Die | |
| シリーズ | eGaN® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 600µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.73nC @ 5V | |
| FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 75pF @ 50V | |
| パワー - 最大 | - | |
| その他の名前 | 917-EPC2106ENGRTR 917-EPC2106ENGRCT 917-EPC2106ENGRDKR |
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