FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V
NOVA部品番号:
303-2251883-FDMD85100
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMD85100
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Power56
基本製品番号 FDMD85
パッケージ・ケース8-PowerWDFN
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 10.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 9.9mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 31nC @ 10V
FETの特徴Standard
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 2230pF @ 50V
パワー - 最大 2.2W
その他の名前FDMD85100DKR
FDMD85100CT
FDMD85100TR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。