SQ4917EY-T1_GE3
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
NOVA部品番号:
303-2249651-SQ4917EY-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQ4917EY-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TA) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| 基本製品番号 | SQ4917 | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 48mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 65nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1910pF @ 30V | |
| パワー - 最大 | 5W (Tc) | |
| その他の名前 | SQ4917EY-T1_GE3TR SQ4917EY-T1_GE3CT |
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