SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

NOVA部品番号:

303-2250052-SQJ262EP-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQJ262EP-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
基本製品番号	SQJ262
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
パワー - 最大	27W (Tc), 48W (Tc)
その他の名前	SQJ262EP-T1_GE3CT SQJ262EP-T1_GE3DKR SQJ262EP-T1_GE3TR

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