FDMS3669S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

NOVA部品番号:

303-2249857-FDMS3669S

製造元:

製造メーカー部品番号:

FDMS3669S

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	Power56
基本製品番号	FDMS3669
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
シリーズ	PowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13A, 18A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	24nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1605pF @ 15V
パワー - 最大	1W
その他の名前	FDMS3669SCT FDMS3669SDKR 2156-FDMS3669S-OS FDMS3669STR

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