AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
NOVA部品番号:
303-2242032-AUIRF9952QTR
製造メーカー部品番号:
AUIRF9952QTR
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | N and P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 190pF @ 15V | |
| パワー - 最大 | 2W | |
| その他の名前 | INFIRFAUIRF9952QTR 2156-AUIRF9952QTR |
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