SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

NOVA部品番号:

303-2251411-SI4501BDY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4501BDY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4501
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A, 8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	25nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel, Common Drain
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V, 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	805pF @ 15V
パワー - 最大	4.5W, 3.1W
その他の名前	SI4501BDY-T1-GE3DKR SI4501BDY-T1-GE3CT SI4501BDY-T1-GE3TR

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