QS8M31TR
QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
NOVA部品番号:
303-2249079-QS8M31TR
製造メーカー部品番号:
QS8M31TR
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TSMT8 | |
| 基本製品番号 | QS8M31 | |
| パッケージ・ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | N and P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V | |
| パワー - 最大 | 1.1W (Ta) | |
| その他の名前 | QS8M31DKR QS8M31CT |
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