SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
NOVA部品番号:
303-2250839-SQJB90EP-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJB90EP-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| 基本製品番号 | SQJB90 | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 21.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| パワー - 最大 | 48W | |
| その他の名前 | SQJB90EP-T1_GE3CT SQJB90EP-T1_GE3DKR SQJB90EP-T1_GE3TR |
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