ZXMHC6A07N8TC

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

NOVA部品番号:

303-2247754-ZXMHC6A07N8TC

製造元:

製造メーカー部品番号:

ZXMHC6A07N8TC

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SO

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SO
基本製品番号	ZXMHC6A07
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.39A, 1.28A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	3.2nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	166pF @ 40V
パワー - 最大	870mW
その他の名前	ZXMHC6A07N8DIDKR ZXMHC6A07N8DICT ZXMHC6A07N8DITR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！