NTGD4167CT1G

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MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP

NOVA部品番号:

303-2251334-NTGD4167CT1G

製造元:

製造メーカー部品番号:

NTGD4167CT1G

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-TSOP
基本製品番号	NTGD4167
パッケージ・ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.6A, 1.9A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	295pF @ 15V
パワー - 最大	900mW
その他の名前	NTGD4167CT1GOSDKR 2156-NTGD4167CT1G-OS NTGD4167CT1GOSTR Q13728537 NTGD4167CT1G-ND NTGD4167CT1GOSCT ONSONSNTGD4167CT1G

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