SQJ264EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
NOVA部品番号:
303-2247768-SQJ264EP-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJ264EP-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| 基本製品番号 | SQJ264 | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V | |
| パワー - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR 742-SQJ264EP-T1_GE3CT SQJ264EP-T1 GE3 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR |
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