SIZ980BDT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
NOVA部品番号:
303-2248085-SIZ980BDT-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIZ980BDT-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) | |
| 基本製品番号 | SIZ980 | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerWDFN | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18nC @ 10V, 79nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual), Schottky | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V | |
| パワー - 最大 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT 742-SIZ980BDT-T1-GE3TR 742-SIZ980BDT-T1-GE3DKR |
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