SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
NOVA部品番号:
303-2247443-SI1016X-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI1016X-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | |
| 基本製品番号 | SI1016 | |
| パッケージ・ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 485mA, 370mA | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | N and P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | - | |
| パワー - 最大 | 250mW | |
| その他の名前 | SI1016X-T1-GE3DKR SI1016XT1GE3 SI1016X-T1-GE3CT SI1016X-T1-GE3TR |
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