RN2116MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
NOVA部品番号:
304-2062328-RN2116MFV,L3F
製造メーカー部品番号:
RN2116MFV,L3F
ひょうじゅんほうそう:
8,000
技術データシート:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

More Information
カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
製造元Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ VESM
基本製品番号 RN2116
シリーズ-
抵抗 - ベース (R1)4.7 kOhms
抵抗 - エミッタ ベース (R2)10 kOhms
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 5mA
パッケージ・ケースSOT-723
電流 - コレクタカットオフ (最大)500nA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)50 V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 100 mA
トランジスタの種類PNP - Pre-Biased
パワー - 最大 150 mW
その他の名前264-RN2116MFVL3FTR
264-RN2116MFVL3FDKR
RN2116MFV,L3F(B
264-RN2116MFVL3FCT

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