2N4123
T-NPN SI- GEN PUR AMP
NOVA部品番号:
301-2029567-2N4123
製造メーカー部品番号:
2N4123
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
| カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
| 製造元 | NTE Electronics, Inc | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 50 @ 2mA, 1V | |
| Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz | |
| 電流 - コレクタカットオフ (最大) | 50nA (ICBO) | |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 30 V | |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 200 mA | |
| トランジスタの種類 | NPN | |
| パワー - 最大 | 350 mW | |
| その他の名前 | 2368-2N4123 |
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