MT3S111TU,LF
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
NOVA部品番号:
302-2017671-MT3S111TU,LF
製造メーカー部品番号:
MT3S111TU,LF
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
| カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | UFM | |
| 基本製品番号 | MT3S111 | |
| シリーズ | - | |
| 雑音指数 (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz | |
| パッケージ・ケース | 3-SMD, Flat Lead | |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
| 周波数 - 遷移 | 10GHz | |
| 得 | 12.5dB | |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 6V | |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100mA | |
| トランジスタの種類 | NPN | |
| パワー - 最大 | 800mW | |
| その他の名前 | MT3S111TULFDKR MT3S111TU,LF(T MT3S111TU,LF(B MT3S111TULFCT MT3S111TULFTR |
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