EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
NOVA部品番号:
299-2013205-EMD4T2R
製造メーカー部品番号:
EMD4T2R
ひょうじゅんほうそう:
8,000
技術データシート:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
| カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | EMT6 | |
| 基本製品番号 | EMD4T2 | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| 抵抗 - ベース (R1) | 47kOhms, 10kOhms | |
| 抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 47kOhms | |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz | |
| 電流 - コレクタカットオフ (最大) | 500nA | |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100mA | |
| トランジスタの種類 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| パワー - 最大 | 150mW | |
| その他の名前 | EMD4T2RCT EMD4T2RTR EMD4T2RDKR |
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