MUN5312DW1T1G

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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

NOVA部品番号:

299-2013385-MUN5312DW1T1G

製造元:

製造メーカー部品番号:

MUN5312DW1T1G

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

More Information
カテゴリ	トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-88/SC70-6/SOT-363
基本製品番号	MUN5312
シリーズ	-
パッケージ・ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
抵抗 - ベース (R1)	22kOhms
抵抗 - エミッタベース (R2)	22kOhms
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce	60 @ 5mA, 10V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic	250mV @ 300µA, 10mA
周波数 - 遷移	-
電流 - コレクタカットオフ (最大)	500nA
電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)	50V
電流 - コレクタ (Ic) (最大)	100mA
トランジスタの種類	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
パワー - 最大	250mW
その他の名前	MUN5312DW1T1GOSDKR MUN5312DW1T1GOSCT MUN5312DW1T1GOSTR MUN5312DW1T1G-ND