RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT, Q1BSR=10KΩ, Q1BER=4
NOVA部品番号:
299-2013092-RN1707JE(TE85L,F)
製造メーカー部品番号:
RN1707JE(TE85L,F)
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
| カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ESV | |
| 基本製品番号 | RN1707 | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-553 | |
| 抵抗 - ベース (R1) | 10kOhms | |
| 抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 47kOhms | |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz | |
| 電流 - コレクタカットオフ (最大) | 500nA | |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100mA | |
| トランジスタの種類 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | |
| パワー - 最大 | 100mW | |
| その他の名前 | 264-RN1707JE(TE85LF)DKR 264-RN1707JE(TE85LF)CT 264-RN1707JE(TE85LF)TR |
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