NTE2018
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
NOVA部品番号:
298-2008993-NTE2018
製造メーカー部品番号:
NTE2018
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA - 1W Through Hole 18-PDIP
| カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
| 製造元 | NTE Electronics, Inc | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -20°C ~ 85°C (TA) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 18-PDIP | |
| パッケージ・ケース | 18-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| シリーズ | - | |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | - | |
| Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.6V @ 350mA, 500A | |
| 周波数 - 遷移 | - | |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 600mA | |
| トランジスタの種類 | 8 NPN Darlington | |
| パワー - 最大 | 1W | |
| その他の名前 | 2368-NTE2018 |
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