SSM6J512NU,LF
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
NOVA部品番号:
312-2285058-SSM6J512NU,LF
製造メーカー部品番号:
SSM6J512NU,LF
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-UDFNB (2x2) | |
| 基本製品番号 | SSM6J512 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVII | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 8V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (最大) | ±10V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| 消費電力(最大) | 1.25W (Ta) | |
| その他の名前 | SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFCT SSM6J512NULFTR SSM6J512NULFDKR SSM6J512NU,LF(B |
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