1N5822G
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
NOVA部品番号:
287-2375550-1N5822G
製造元:
製造メーカー部品番号:
1N5822G
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
Diode Schottky 40 V 3A Through Hole Axial
| カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| スピード | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Axial | |
| 基本製品番号 | 1N5822 | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 3A | |
| パッケージ・ケース | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 125°C | |
| 静電容量 @ Vr、F | - | |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 2 mA @ 40 V | |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 525 mV @ 3 A | |
| ダイオードの種類 | Schottky | |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 40 V | |
| その他の名前 | 1N5822G-ND 2156-1N5822G ONSONS1N5822G 1N5822GOS |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
1N5822RLSTMicroelectronics
1N5338BGonsemi
1N5822-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and Storage- 1N5822STMicroelectronics
SI9435BDY-T1-E3Vishay Siliconix
MMBZ4624-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
TS90115CY RMGTaiwan Semiconductor Corporation