FDN363N

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N-CHANNEL POWER MOSFET

NOVA partie #:

312-2269103-FDN363N

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDN363N

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SuperSOT™-3
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	500mW (Tc)
Autres noms	2156-FDN363N FAIFSCFDN363N