BSZ018N04LS6ATMA1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TSDSON-8-FL
Numéro de produit de base	BSZ018
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™ 6
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	27A (Ta), 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Autres noms	SP002116668 448-BSZ018N04LS6ATMA1DKR 448-BSZ018N04LS6ATMA1CT 448-BSZ018N04LS6ATMA1TR

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!