SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
NOVA partie #:
312-2283537-SPB20N60C3ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SPB20N60C3ATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | SPB20N60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 208W (Tc) | |
| Autres noms | SPB20N60C3INTR-ND SPB20N60C3ATMA1DKR SPB20N60C3INCT-ND SPB20N60C3INDKR-ND SPB20N60C3ATMA1CT SPB20N60C3INCT SPB20N60C3XT-ND SP000013520 SPB20N60C3 SPB20N60C3XT SPB20N60C3INTR SPB20N60C3INDKR SPB20N60C3ATMA1TR |
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