SIRA01DP-T1-GE3

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIRA01
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen IV
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	26A (Ta), 60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	112 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® SO-8
Vg (Max)	+16V, -20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3490 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Autres noms	SIRA01DP-T1-GE3DKR SIRA01DP-T1-GE3CT SIRA01DP-T1-GE3TR

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