IPD50N06S409ATMA2

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

NOVA partie #:

312-2295925-IPD50N06S409ATMA2

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPD50N06S409ATMA2

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-11
Numéro de produit de base	IPD50N06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	47.1 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3785 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	71W (Tc)
Autres noms	448-IPD50N06S409ATMA2CT 2156-IPD50N06S409ATMA2 448-IPD50N06S409ATMA2DKR IPD50N06S409ATMA2-ND SP001028662 448-IPD50N06S409ATMA2TR INFINFIPD50N06S409ATMA2