CSD16325Q5

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-VSON-CLIP (5x6)
Numéro de produit de base	CSD16325
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	+10V, -8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	25 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4000 pF @ 12.5 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.1W (Ta)
Autres noms	-CSD16325Q5-NDR 296-24964-1 296-24964-2 296-24964-6 -296-24964-1-ND

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