RDR005N25TL
MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
NOVA partie #:
312-2273230-RDR005N25TL
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RDR005N25TL
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 250 V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TSMT3 | |
| Numéro de produit de base | RDR005 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 250mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SC-96 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 540mW (Ta) | |
| Autres noms | RDR005N25TLCT RDR005N25TLTR RDR005N25TLDKR |
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