IPDD60R190G7XTMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-HDSOP-10-1
Numéro de produit de base	IPDD60
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ G7
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 210µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	10-PowerSOP Module
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	718 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	76W (Tc)
Autres noms	IPDD60R190G7XTMA1DKR SP001632844 IPDD60R190G7XTMA1TR IPDD60R190G7XTMA1CT

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