CSD19533KCS

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

NOVA partie #:

312-2288818-CSD19533KCS

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

CSD19533KCS

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 100 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Numéro de produit de base	CSD19533
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2670 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	188W (Tc)
Autres noms	-CSD19533KCS-NDR 296-37482-5INACTIVE 296-37482-5-NDR -CSD19533KCSINACTIVE 296-37482-5 CSD19533KCS-ND