SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
NOVA partie #:
312-2299714-SCTW40N120G2V
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SCTW40N120G2V
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | HiP247™ | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | +22V, -10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 800 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 278W (Tc) | |
| Autres noms | 497-SCTW40N120G2V |
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