SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
NOVA partie #:
312-2288536-SQM40P10-40L_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQM40P10-40L_GE3
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) | |
| Numéro de produit de base | SQM40 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5295 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 150W (Tc) | |
| Autres noms | SQM40P10-40L_GE3DKR SQM40P10-40L_GE3CT SQM40P10-40L_GE3TR SQM40P10-40L_GE3-ND |
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