DMTH10H1M7STLWQ-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

NOVA partie #:

312-2298218-DMTH10H1M7STLWQ-13

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

DMTH10H1M7STLWQ-13

Paquet Standard:

1,500

Fiche technique:

N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Diodes Incorporated
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	POWERDI1012-8
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	250A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	147 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerSFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9871 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	6W (Ta), 250W (Tc)
Autres noms	31-DMTH10H1M7STLWQ-13CT 31-DMTH10H1M7STLWQ-13DKR 31-DMTH10H1M7STLWQ-13TR