BSC050N03LSGATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-5
Numéro de produit de base	BSC050
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	18A (Ta), 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Autres noms	BSC050N03LSGINCT BSC050N03LS G SP000269785 BSC050N03LSGATMA1INACTIVE BSC050N03LSG BSC050N03LS G-ND BSC050N03LSGATMA1TR BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC050N03LSGXT BSC050N03LSGINDKR BSC050N03LSGINTR-ND Q3390169A BSC050N03LSGINTR BSC050N03LSGINCT-ND BSC050N03LS GINACTIVE-ND BSC050N03LSGINDKR-ND BSC050N03LSGATMA1CT BSC050N03LSGATMA1DKR

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