STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
NOVA partie #:
312-2288051-STL7N10F7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STL7N10F7
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 7A (Tj) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Numéro de produit de base | STL7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 7A (Tj) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.9W (Ta), 50W (Tc) | |
| Autres noms | -497-14990-6 497-14990-1 497-14990-2 -497-14990-1 -497-14990-2 497-14990-6 |
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