PMV213SN,215

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB

NOVA partie #:

312-2282445-PMV213SN,215

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

PMV213SN,215

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

N-Channel 100 V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-236AB
Numéro de produit de base	PMV213
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	280mW (Tj)
Autres noms	934057521215 568-8112-1-ND 568-8112-1 568-8112-2 PMV213SN,215-ND PMV213SN T/R 1727-6294-6 568-8112-6 2156-PMV213SN,215-NEX PMV213SN215 1727-6294-1 568-8112-6-ND 1727-6294-2 NEXNEXPMV213SN,215 PMV213SN T/R-ND 568-8112-2-ND