SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
NOVA partie #:
312-2282188-SUM70060E-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SUM70060E-GE3
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) | |
| Numéro de produit de base | SUM70060 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | ThunderFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 131A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | SUM70060E-GE3CT SUM70060E-GE3-ND SUM70060E-GE3TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IRF1010ZSTRLPBFInfineon Technologies- IPB054N08N3GATMA1Infineon Technologies
NCP803SN463T1Gonsemi
SQM120N10-3M8_GE3Vishay Siliconix
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co- SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
SQD40061EL_GE3Vishay Siliconix
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.