SIS427EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2281165-SIS427EDN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIS427EDN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SIS427 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1930 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Autres noms | SIS427EDN-T1-GE3CT SIS427EDN-T1-GE3DKR SIS427EDN-T1-GE3TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NCP1117LPST33T3Gonsemi
CMDZ1L8 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3Abracon LLC- ABM8AIG-16.000MHZ-12-2Z-T3Abracon LLC
DDTB113ZC-7-FDiodes Incorporated
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor Corporation
PMEG3050EP,115Nexperia USA Inc.- DDTD113ZC-7-FDiodes Incorporated
RQ3E120ATTBRohm Semiconductor
SISH101DN-T1-GE3Vishay Siliconix
CLVBA-FKA-CAEDH8BBB7A363CreeLED, Inc.
