IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
NOVA partie #:
312-2288095-IPD053N06NATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD053N06NATMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | IPD053 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 45A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 36µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Autres noms | IPD053N06NTR-ND IPD053N06NTR IPD053N06NXTMA1 IPD053N06NDKR-ND IPD053N06NCT-ND IPD053N06N-ND SP000962138 IPD053N06NATMA1TR IPD053N06NATMA1DKR IPD053N06NCT IPD053N06NDKR IPD053N06N IPD053N06NATMA1CT |
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