RD3H080SPFRATL

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252
Numéro de produit de base	RD3H080
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	45 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	15W (Tc)
Autres noms	RD3H080SPFRATLCT RD3H080SPFRATLDKR RD3H080SPFRATLTR

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