FQT7N10LTF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

NOVA partie #:

312-2273299-FQT7N10LTF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FQT7N10LTF

Paquet Standard:

4,000

Fiche technique:

N-Channel 100 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-223-4
Numéro de produit de base	FQT7N10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	QFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	2W (Tc)
Autres noms	FAIFSCFQT7N10LTF FQT7N10LTFTR FQT7N10LTFDKR 2156-FQT7N10LTF-OS FQT7N10LTFCT