FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2263213-FDMS86200
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDMS86200
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | FDMS86 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2715 pF @ 75 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Autres noms | FDMS86200DKR FDMS86200TR FDMS86200CT |
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