IRFB4332PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

NOVA partie #:

312-2283553-IRFB4332PBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRFB4332PBF

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Numéro de produit de base	IRFB4332
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	250 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5860 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	390W (Tc)
Autres noms	2156-IRFB4332PBF SP001556040 IFEINFIRFB4332PBF