SI3473DDV-T1-GE3

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	SI3473
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen III
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 8 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vg (Max)	±8V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1975 pF @ 6 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.6W (Tc)
Autres noms	SI3473DDV-T1-GE3CT SI3473DDV-T1-GE3TR SI3473DDV-T1-GE3DKR

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