IRFS4115PBF
HEXFET POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2297509-IRFS4115PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFS4115PBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 195A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1mOhm @ 62A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5270 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | 2156-IRFS4115PBF IFEIRFIRFS4115PBF |
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